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 JCP-450高真空三靶共濺射沉積鍍膜設備

JCP-450高真空三靶共濺射沉積鍍膜設備

內部編號:

規格型號:JCP-450

生產廠家:北京泰科諾科技有限公司

費  用:0 元/小時

北京理工大學分析測試中心

所屬分類:前處理及通用設備

聯系人:高培峰

聯系電話:134-8869-9859

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可預約期限:
不限
起約時數:
1 小時
使用說明:

主要規格及技術指標
 真空腔室:φ450 mm×h400mm
 真空系統:復合分子泵+直聯旋片泵,氣動真空閥門,“兩低一高”數顯復合真空計
 真空極限:優于8.0×10-5pa
 抽速:從大氣抽至6.0×10-3pa≤15min
 可鍍膜尺寸:3英寸1片,散片若干
 基片加熱與旋轉:襯底加熱:室溫~600℃,自動測溫,pid控溫;基片旋轉:0-20轉/分鐘,可調可控
 濺射靶規格:4英寸,標配2只,另預留1對蒸發電極(中頻濺射+射頻濺射)
 膜厚不均勻性:≤±5%
 控制方式:手動按鈕控制
 報警及保護:對泵、靶、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執行相應保護措施
主要功能及特色

    該設備具有多靶磁控濺射功能,標配2只4inch磁控靶,預留1對蒸發電極,能夠濺射蒸發兩用;濺射靶采用波紋管結構,方便調整角度;濺射靶中頻電源濺射取代傳統直流濺射,改善靶的電弧放電及“中毒”現象。 該設備主要用來開發納米級單層及多層的導電膜、半導體膜、絕緣膜以及鎳、鈷磁性材料等,基片臺加負偏壓可實現基片反濺清洗功能。

樣本檢測注意事項
      1、 開儀器總電源前一定要先打開循環水泵。
      2、 腔室真空度在10的負一次帕以下才能打開分子泵。
      3、 分子泵運行結束后才能停止運行機械泵。
      4、 儀器運行期間注意排風設施。
      5、 儀器使用為高壓電源,高壓危險!

所屬單位
      分析測試中心

放置地點
      工業生態樓D108

聯系人
      高培峰
聯系方式
      電話 134-8869-9859
      郵箱 sscgpf@bit.edu.cn

收費標準
     校內:80元/小時
     校外:
150元/小時



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JCP-450高真空三靶共濺射沉積鍍膜設備

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